ОАО "НПП "Пульсар" совместно с МНТОРЭС им. А.С. Попова 23 декабря 2009 г.

проведён II научно-технический семинар по твердотельной СВЧ электронике на тему

"Вопросы использования САПР приборно‑технологического моделирования при разработке СВЧ транзисторов на основе кремния, арсенида галлия и широкозонных полупроводников"

Руководитель семинара - генеральный директор ОАО «НПП «Пульсар» д.ф.-м.н., проф. Васильев А.Г.

Учёный секретарь семинара - начальник Центра проектирования ОАО «НПП «Пульсар» Савченко Е.М.

Программа семинара

1. Дроздов Д.Г. Савченко Е.М. (ОАО «НПП «Пульсар», г. Москва)

"Вопросы приборно-технологического моделирования дискретных и интегральных СВЧ транзисторов на основе кремния"

2. Ангел М.Н. (МИЭТ, г. Москва)

"Расчёт частотных характеристик КНИ-МОП-транзисторов в среде SentaurusTCAD"

3. Сбитнев К.И. («ALT-S», г. Москва)

"Моделирование СВЧ-транзистора на основе эпитаксиальной гетероструктуры (HEMT) с помощью САПР SynopsysSentaurusTCAD"

4. Тихомиров В.Г. (ЛЭТИ, г. Санкт-Петербург)

"Опыт применения SilvacoTCAD для моделирования СВЧ pHEMT"

5.  Турин В.О¹, Седов А.В.¹, Зебрев Г.И.², Инигез Б.³, Шур М. С.⁴

(1-Орловский ГТУ, г. Орел, 2- НИЯИ МИФИ, г. Москва, 3 - Университет Ровира и Виргилии, г. Таррагона, Испания, 4 - Ренселаеровский политехнический институт, г. Трой, штат Нью-Йорк, США)

"Приборно-технологическое моделирование тепловых и частотных режимов работы GaN полевых транзисторов и компактное моделирование с корректным учетом эффекта модуляции длины канала"

6. Торговников Р.А. (МИЭМ, г. Москва)

"Особенности приборно-технологического моделирования SiGe ГБТ"