Предприятие сегодня

С 2010 года завод реализует инновационные разработки гетероструктурных малошумящих и мощных СВЧ-транзисторов C- и Х-диапазонов на гетеростуктурах GaN с последующей организацией их промышленного выпуска. Отдельное место в жизни завода занимает производство светодиодной продукции: оно базируется на основе собственных инновационных исследований и разработок. Проводится модернизация технологической линии кристального производства и создание новой линии эпитаксиального производства.

В 2000-е годы

Завод специализируется на выпуске изделий «силовой электроники» (кремниевые МДП переключательные транзисторы, биполярные транзисторы с изолированным затвором (БТИЗ), высоковольтные диодов, микросхем), СВЧ-транзисторов (средней мощности с рабочими частотами 1 ÷ 10 ГГц, мощные СВЧ-транзисторы L - диапазона непрерывного и импульсного режимов, широкополосные, мощные СВЧ-импульсные транзисторы S – диапазона), термопечатающей аппаратуры.

 

 

В 90-е годы

Прекращение государственного финансирования производителей радиоэлектронной аппаратуры и резкое сокращение ее закупок Министерством обороны. В условиях неспособности отечественной промышленности конкурировать на рынке бытовой радиоэлектроники,  создание нового для завода производственного направления – выпуск термопечатающей аппаратуры и контрольно-кассовых машин.

Выпуск изделий гражданского назначения: интегральные модули СВЧ-диапазона для метеорологии, мощные СВЧ-транзисторы для радиолокационных станций управления воздушным движением.

В 80-е годы

Выпущены первые приборы с зарядовой связью, начался серийный выпуск полевых транзисторов на арсениде галлия.

Заложена научная основа дальнейшего развития полупроводниковых изделий, которая оказалась востребована радиоэлектронной промышленностью лишь в начале ХХI века. Это импульсные сверхмощные СВЧ кремниевые транзисторы с отдаваемой мощностью до 1 кВт и выше, широкополосные кремниевые СВЧ транзисторы и специальные мощные и высоковольтные транзисторы для различной аппаратуры, ВЧ и СВЧ мощные кремниевые полевые транзисторы, полевые транзисторы средней и большой мощности на арсениде галлия с отдаваемой мощностью до 10 Вт на частоте 5-6 ГГц, СВЧ малошумящие транзисторы, линейные и матричные ПЗС формирователи видеосигнала в видимом диапазоне спектра и управляющие КМОП БИС.

 

В 70-е годы

Выпуск кремниевых биполярных транзисторов. 

Освоение на заводе первых кремниевых полевых транзисторов и лавинно-пролетных диодов на арсениде галлия.

Совершенствование планарной технологии, значительное увеличение рабочих частот и отдаваемой мощности полупроводниковых приборов. Впервые осваивается и начинается выпуск интегральных схем.

Начало выпуска товаров культурно-бытового назначения.

Внедрение элионной технологии и на ее основе освоение нового класса приборов – кремниевых малошумящих транзисторов.

В 60-е годы

Выпуск первых диффузионных германиевых высокочастотных транзисторов.

Выпуск первых кремниевых транзисторов и первых туннельных диодов.

Развитие планарной технологии. 

В 50-е годы

Постановлением Совета Министров СССР Советского Союза было основано предприятие по разработке и производству полупроводниковых приборов, материалов и технологий – НИИ и опытный завод. 

Создан первый отечественный транзистор.

Осуществляется выпуск сплавных германиевых транзисторов.

Решаются задачи по разработке технологических процессов и оборудования для производства сплавных транзисторов. 

Опробование на заводе первого в отрасли оборудования для ориентировки и резки слитков на пластины, пластины – на кристаллы, оборудования для шлифовки пластин и кристаллов сборочного оборудования.